[发明专利]用于水平存取装置的外延单晶硅生长在审
| 申请号： | 202180066457.0 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN116326234A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | A·赛伊迪·瓦赫达;G·S·桑胡;S·E·西里斯;李时雨;J·A·斯迈思三世 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 丁昕伟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供用于水平存取装置的外延单晶硅生长的系统、方法和设备。一个示例方法包含：沉积第一电介质材料、半导体材料和第二电介质材料的层以形成竖直堆叠；形成第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有第一竖直侧壁的细长的竖直柱列；以及穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露第二竖直侧壁。此外，所述示例方法包含：从所述第二竖直开口选择性地去除所述半导体材料的第一部分以形成水平开口，其中所述半导体材料的其余第二部分在所述水平开口的远离所述第二竖直开口的远端；以及在所述水平开口内从所述水平开口的所述远端朝向所述第二竖直开口外延地生长单晶硅，以填充所述水平开口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 水平 存取 装置 外延 单晶硅 生长 | ||
【主权项】：
暂无信息
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