[发明专利]高熔点配管阻塞物质的生成抑制装置及方法在审
申请号: | 202180071639.7 | 申请日: | 2021-10-06 |
公开(公告)号: | CN116568635A | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 稻叶利晴;服部望 | 申请(专利权)人: | 三井易艾斯有限公司 |
主分类号: | C01C1/08 | 分类号: | C01C1/08 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟;李磊 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种通过促进异氰酸或氰酸的水解使氰尿酸的生成量减少来抑制生成高熔点配管阻塞物质的高熔点配管阻塞物质的生成抑制装置及方法,该目的通过下述方式实现:在排气流过的配管内穿插有供给加压空气和尿素水的尿素水供给管(6),在尿素水供给管(6)的顶端附近连接有尿素水喷雾喷嘴(7),具有流过配管内的排气和从尿素水喷雾喷嘴(7)喷出的喷雾尿素水的混合部(8),在混合部(8)的周围在配管的内壁面的全部或一部分呈带状地围绕设置有金属片材(9),在金属片材(9)的内表面形成有促进尿素水解的水解催化剂层(10)。 | ||
搜索关键词: | 熔点 阻塞 物质 生成 抑制 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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