[发明专利]用于等离子体处理应用的磁体保持结构在审

专利信息
申请号: 202180081904.X 申请日: 2021-10-06
公开(公告)号: CN116635569A 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: A·恩古耶;S·S·甘塔;K·贝拉;赖灿锋 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的实施例总体涉及半导体处理设备,并且更具体地涉及可在基板的等离子体处理期间与磁体一起使用的装置,例如,磁体保持结构。在实施例中,提供一种用于等离子体增强化学气相沉积腔室的磁体保持结构。磁体保持结构包括具有多个磁体固位构件的顶部件和具有多个磁体固位构件的底部件。顶部件具有第一内边缘和第一外边缘,并且底部件具有第二内边缘和第二外边缘。磁体保持结构进一步包括多个壳套。多个壳套中的每个壳套被配置成至少部分地封装磁体,并且每个壳套定位在顶部件的磁体固位构件与底部件的磁体固位构件之间。
搜索关键词: 用于 等离子体 处理 应用 磁体 保持 结构
【主权项】:
暂无信息
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