[发明专利]用于等离子体处理应用的磁体保持结构在审
申请号: | 202180081904.X | 申请日: | 2021-10-06 |
公开(公告)号: | CN116635569A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | A·恩古耶;S·S·甘塔;K·贝拉;赖灿锋 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例总体涉及半导体处理设备,并且更具体地涉及可在基板的等离子体处理期间与磁体一起使用的装置,例如,磁体保持结构。在实施例中,提供一种用于等离子体增强化学气相沉积腔室的磁体保持结构。磁体保持结构包括具有多个磁体固位构件的顶部件和具有多个磁体固位构件的底部件。顶部件具有第一内边缘和第一外边缘,并且底部件具有第二内边缘和第二外边缘。磁体保持结构进一步包括多个壳套。多个壳套中的每个壳套被配置成至少部分地封装磁体,并且每个壳套定位在顶部件的磁体固位构件与底部件的磁体固位构件之间。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 处理 应用 磁体 保持 结构 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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