[发明专利]具有N/P边界结构的纳米片半导体器件在审
| 申请号： | 202180084350.9 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN116569340A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;张婧芸;苗欣;A·雷茨尼采克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造纳米片场效应晶体管(FET)器件的方法。该方法包括在衬底上形成多个纳米片堆叠，这些纳米片堆叠包括第一类型牺牲层和有源半导体层的交替层。该方法包括：在这些纳米片堆叠的侧壁上形成该第一类型牺牲层；然后在相邻的纳米片堆叠的该第一类型牺牲层的侧壁部分之间形成电介质柱；并且然后去除该第一类型牺牲层。该方法还包括在通过去除纳米片堆叠中的第一个纳米片堆叠的第一类型牺牲层而形成的空间中形成PWFM层，并且包括在通过去除纳米片堆叠中的相邻的第二个纳米片堆叠的第一类型牺牲层而形成的空间中形成NWFM层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 边界 结构 纳米 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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