[发明专利]混合应变多量子阱超辐射发光二极管在审
| 申请号： | 202180089468.0 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN116670839A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 罗伊斯顿·霍根;安迪·派珀;拉君·拉吉格帕尔;阿希什·库默·拉伊;达莎·拉克西米·拉纳因·迪让 | 申请（专利权）人： | 实光半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 超辐射发光二极管(SLED)包括有源层，该层包括一组混合应变量子阱。这组混合应变量子阱包括一组压缩应变量子阱和一组拉伸应变量子阱。施加在SLED上的电位差导致电子载流子和空穴载流子向有源层移动。这组压缩应变量子阱中的电子和空穴对的辐射复合可以发射横向偏振光，这组拉伸应变量子阱中的电子和空穴对的辐射复合可以发射垂直偏振光。横向偏振光和纵向偏振光的结合导致SLED发射非相干光。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 应变 多量 子阱超 辐射 发光二极管 | ||
【主权项】：
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