[发明专利]光伏装置及制造方法在审
| 申请号： | 202180092775.4 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN116830279A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | D·曹;M·格洛克勒;S·格罗弗;J·哈克;李政昊;陆定原;A·瓦拉达拉詹;熊刚;赵志波 | 申请（专利权）人： | 第一阳光公司 |
| 主分类号： | H01L31/073 | 分类号： | H01L31/073 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李进;杨思捷 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 通过如下获得具有p型接触层(180)的、具有II‑VI型半导体吸收剂材料(160)的光伏装置(100)：在基材堆叠(113)上形成II‑VI吸收剂层，其中II型材料包括镉(Cd)并且VI型材料包括碲(Te)；使包含氢氧化物的碱性洗涤流体与所述吸收剂层的第二表面接触以产生富Cd表面，在所述吸收剂层(160)上沉积p型接触层(180)，由此所述p型接触层与富Cd层直接相邻，并且其中所述p型接触层包含以下中的至少一种：PTAA、P3HT、聚‑TPD、TFB、TTF‑1、TF8‑TAA、TIF8‑TAA、SGT‑407、PCDTBT、螺OMeTAD、蒽基HTM、聚噻吩、半导体聚合物、NiO、CuSCN或CuI；和在所述p型接触层上沉积导电层(190)。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
