[发明专利]一种磁场诱导合成Ni2 有效
| 申请号： | 202210008154.X | 申请日： | 2022-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114195108B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 袁双;王钟;李成林;齐聪;王强 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C01B25/08 | 分类号： | C01B25/08;C25B11/075;C25B1/02;C25B1/04 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 马海芳 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
一种磁场诱导合成Ni |
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| 搜索关键词： | 一种 磁场 诱导 合成 ni base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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