[发明专利]一种超级结绝缘栅双极型晶体管及其终端结构的制作方法在审
| 申请号： | 202210046194.3 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN116487258A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 熊志军 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结绝缘栅双极型晶体管及其终端结构的制作方法。所述终端结构的制作方法包括：提供第二导电类型的外延层，所述外延层设置在第二导电类型的漂移区上，所述漂移区包含超级结结构；在所述外延层的终端区域加工出第一凹槽，并在所述第一凹槽内填充第一导电类型的半导体，从而形成终端结构。本发明提供的制作方法，能够有效避免超级结结构的P型超级结区域在高温过程中的外扩散现象，提升器件的击穿电压及雪崩耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 终端 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
