[发明专利]一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器及制备方法有效
申请号: | 202210244562.5 | 申请日: | 2022-03-14 |
公开(公告)号: | CN114678439B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 杨国锋;谷燕;谢峰;陆乃彦;陈国庆;张秀梅;蒋学成 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 214122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器及制备方法,属于半导体器件制造技术领域。所述紫外探测器从下而上依次包括:衬底层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和金属电极层。本发明采用具有对称叉指结构2DEG电极,利用AlGaN/GaN异质结构中的价带偏移,该界面上的空穴积累导致电子进入导带的势垒能降低,从而解决了传统器件结构紫外探测器的低响应和低量子效率的缺点,提高了响应度和增益,通过GaN断开2DEG导电通道,降低了器件的暗电流,提高了光暗电流比,有效地减少了响应时间、同时提升了器件灵敏度和信噪比。此外,本发明的制造工艺简单,便于单片集成,进而能够实现光学传感系统的芯片集成。 | ||
搜索关键词: | 一种 对称 结构 deg 紫外 探测器 制备 方法 | ||
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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