[发明专利]光学器件的形成方法在审
| 申请号： | 202210325681.3 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116931171A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 殷霞革;冯霞;陈晓军;张冬生;吴家亨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种光学器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括耦合区；在所述衬底上形成第一介质层；在所述耦合区上的第一介质层内形成初始波导沟槽；在所述第一介质层表面和所述初始波导沟槽内形成图形化层，所述图形化层暴露出至少部分初始波导沟槽底部；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，以形成位于所述衬底上的波导结构，所述波导结构包括位于所述耦合区上的波导末端结构。所述半导体结构的形成方法提升了小尺寸波导的制成工艺稳定性，降低了光传播过程中的耦合损耗，提升了光传播效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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- 张紫辰;侯煜;李朋;张昆鹏;张喆;李曼;石海燕;王然;岳嵩;薛美 - 中国科学院微电子研究所
- 2022-11-01 - 2023-03-07 - G02B6/136
- 本发明提供一种可编程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法，包括：将激光束聚焦于硅基半导体材料第一区域内部，对第一区域进行3D刻蚀，以使双凸透镜外轮廓、型腔内部及光纤固定孔内部形成改质结构；对所述改质结构进行湿法刻蚀，以去除所述改质结构，完成双凸透镜、型腔及光纤固定孔的制备；在所述第一区域的下表面沉积金属材料，以形成散热层；将激光束聚焦于第一区域之外的第二区域，依据所述硅基半导体材料的光学性能对所述硅基半导体材料进行改质，形成导波结构和逻辑器件结构，以形成光子集成芯片。本发明提供的可编程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法，能够简化工艺步骤，降低设备成本和工艺成本。
- 双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件-202011167356.6
- 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯;谢玲;王文武 - 中国科学院微电子研究所
- 2020-10-27 - 2023-02-03 - G02B6/136
- 本发明提供了一种双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件，该双层硅基光子器件的制作方法包括以下步骤：提供第一层波导结构绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成第一层波导结构；采用介质材料回填第一层；在非第一层波导结构的所述介质材料区域形成凹槽；采用各向同性腐蚀工艺腐蚀所述凹槽，以在所述凹槽上形成斜面；沉积第二层波导材料，所述第二层波导材料在所述凹槽处与所述第一层波导结构耦合。采用各向同性腐蚀方法将层间介质形成斜坡，使第二层波导材料与第一层波导结构在同一层次实现耦合，增加耦合效率，降低层间串扰。
- 一种超构表面耦合元件的制作方法-202011286914.0
- 胡跃强;姜玉婷;张毅;郭晓明;段辉高;宋强;马国斌;徐晓波 - 深圳珑璟光电科技有限公司
- 2020-11-17 - 2023-01-31 - G02B6/136
- 本发明实施例涉及光学技术领域，特别涉及一种超构表面耦合元件的制作方法。本发明实施例中提供了一种超构表面耦合元件的制作方法，包括：将所需超构表面耦合元件的相位分布匹配预设结构数据库，获得目标纳米结构单元，根据目标纳米结构单元获得超构表面耦合元件的加工版图，其中，预设结构数据库包括至少两个纳米结构单元和其对应的相位响应分布图；提供一衬底，在衬底上镀一层金属或电介质材料的薄膜；在薄膜上涂布一层光刻胶；根据加工版图，进行光刻、刻蚀和去胶，得到超构表面耦合元件的模板；将模板压印至波导基底，得到超构表面耦合元件。通过本发明制作的超构表面耦合元件能够应用于光波导中，不仅能消色差，且加工难度低。
- 一种模斑转换器中的磷化铟垂直楔形结构的制备方法-202210616663.0
- 王亮;江致远;蒋忠君;蒋凯 - 中国科学技术大学
- 2022-06-01 - 2022-12-30 - G02B6/136
- 本发明涉及一种模斑转换器中的磷化铟垂直楔形结构的制备方法，属于光电子加工技术领域。操作步骤如下：(1)光刻胶条带列图案的单次曝光光刻制作，(2)光刻胶斜坡掩模的制作，(3)磷化铟垂直楔形结构的常温下干法刻蚀，得到垂直楔形结构；垂直楔形结构实现将单模光纤出射光的模式绝热地转换为模斑转换器所连接的探测器传输波导所支持的模式，完成对单模光纤出射光的模斑的缩小。本发明常温下干法刻蚀，不会导致光刻胶掩模变形碳化。本发明只需要调整干法刻蚀配方中射频功率(RF)功率、电感耦合等离子体(ICP)功率，从而调控磷化铟和光刻胶的刻蚀选择比，比较准确地调控得到的磷化铟垂直楔形结构的斜坡倾斜角。
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