[发明专利]基于二苯并噻吩端基的高热稳定空穴传输材料及其合成方法在审
申请号: | 202210356062.0 | 申请日: | 2022-04-06 |
公开(公告)号: | CN116925057A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 周杰;李相澎;杜富强;王万海;程尧 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C07D409/14 | 分类号: | C07D409/14;H10K85/60;H10K30/86 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 刘海霞 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种基于二苯并噻吩端基的高热稳定空穴传输材料及其合成方法。所述的基于二苯并噻吩端基的高热稳定空穴传输材料的结构式为#imgabs0#本发明将端基分子N‑2‑二苯并噻吩基‑2‑二苯并噻吩胺作为热稳定模块应用在钙钛矿太阳能电池空穴传输材料,所合成的材料玻璃化转变温度均大于150℃,具有高热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 基于 噻吩 高热 稳定 空穴 传输 材料 及其 合成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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