[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备在审
| 申请号： | 202210357044.4 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116940110A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 范人士;郭朵;卜思童;方亦陈;丁士成;景蔚亮;谭万良;王正波 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在如何提高三维存储器的存储密度。该半导体结构包括外围堆叠层、电容器、第一接触柱和第一信号线，外围堆叠层包括层叠设置的多个膜层对，膜层对包括第一介质层和栅极层，多个膜层对形成多个台阶。电容器包括第一电极和第二电极。第一接触柱位于第一目标台阶的上方，且一端与形成第一目标台阶的膜层对中的栅极层电连接，第一目标台阶为多个台阶中的一个台阶。第一信号线与第一接触柱的另一端电连接，第一信号线被配置为向栅极层传输第一电压信号，栅极层被配置为形成第一电极。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 三维 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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