[发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件

摘要

本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括衬底、底电极层、存储材料层、第一介质层以及顶电极层的基底，其中，衬底、底电极层、存储材料层以及第一介质层依次层叠，第一介质层包括第一开口，第一开口使得部分的存储材料层裸露，顶电极层位于第一开口内；然后，沿着第一方向去除部分顶电极层，剩余的顶电极层形成多个间隔设置的预备顶电极；之后，沿着第二方向去除部分预备顶电极，使得每个预备顶电极形成多个间隔的顶电极，第二方向垂直于第一方向；最后，以顶电极作为掩膜，刻蚀存储材料层，使得部分的底电极层裸露。通过改变去除面积，实现较小的顶电极的制作，保证了半导体器件尺寸满足发展需求。