[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210361353.9 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936635A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 艾科微电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 518004 广东省深圳市罗湖区莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开半导体装置及其制造方法，包括第一导电类型的基底和阱区、沟槽、第一沟槽栅极、第二沟槽栅极、介电分隔部及介电衬层。阱区设置于基底内，沟槽设置于基底内，且位于阱区的正上方。第一和第二沟槽栅极彼此侧向分离，且设置于沟槽内。介电分隔部设置于沟槽内，且位于第一和第二沟槽栅极之间，其中介电分隔部的底面中心线区域向下突出，低于介电分隔部的底面两侧区域。介电衬层设置于沟槽内，且位于第一和第二沟槽栅极的底面下方，其中在第一和第二沟槽栅极的底面的水平线以下，介电分隔部的厚度大于介电衬层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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