[发明专利]一种用于硅纳米线物理分散的预处理方法及其应用在审
| 申请号： | 202210361702.7 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936785A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 廖健淞;杨宁宁;郭小平;张锡强;李钧;黄艳萍;郭威;杨淋;谭海龙 | 申请（专利权）人： | 拓米（成都）应用技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62;C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 611730 四川省成都市郫都区德*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于硅纳米线物理分散的预处理方法及其应用，所述预处理方法包括：将硅纳米线浸润于含有表面活性剂和偶联剂的有机溶液中进行反应；将反应产物浸润于含有碳纳米管、聚乙二醇、二异氰酸酯、催化剂和扩链剂的混合体系中进行反应。本发明还涉及一种改性硅纳米线，通过所述预处理方法制得。在硅纳米线表面引入有机/无机复合包覆层，有机相为硅纳米线提供柔韧性和膨胀空间，保证硅纳米线在后续加工研磨过程中的完整程度和电化学性能，同时有机相具有疏水能力，可以抑制硅纳米线的高活性表面与水的反应；无机相能够提高硅纳米线的导电性能，同时提高硅纳米线的机械强度，使硅纳米线在研磨中维持较长的长径比，维持优异的电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 纳米 物理 分散 预处理 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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