[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210367707.0 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116936619A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 于海龙;苏博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 郭学秀 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构露出的基底顶部形成有层间介质层；去除部分栅极结构，形成由剩余栅极结构和层间介质层围成的沟槽，沟槽包括第二沟槽以及位于第二沟槽上且与第二沟槽相连通的第一沟槽，以与栅极结构的延伸方向相垂直且平行于基底表面的方向为横向，第一沟槽的横向尺寸大于第二沟槽的横向尺寸；在第二沟槽的底部和侧壁、第一沟槽的底部形成研磨停止层；在层间介质层中形成栅极开口；在栅极开口中形成器件栅极结构；以第一沟槽中的研磨停止层的顶部作为停止位置，对高于研磨停止层顶部的器件栅极结构进行平坦化处理。降低器件栅极结构高度不一致的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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