[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
申请号: | 202210409609.9 | 申请日: | 2022-04-19 |
公开(公告)号: | CN116960150A | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 周志飚 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王锐 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT),其主要包含第一掺杂层设于基底内、一平台隔离(mesa isolation)设于基底上、一栅极电极设于平台隔离上、一源极电极与一漏极电极设于栅极电极两侧、一保护层设于平台隔离上并环绕源极电极与漏极电极、第一金属导线连接源极电极与第一掺杂层以及第二金属导线连接漏极电极与第一掺杂层。 | ||
搜索关键词: | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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