[发明专利]一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法在审
| 申请号： | 202210449797.8 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN114823506A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/07;H01L21/329;H01L21/331 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法。涉及半导体器件。包括以下步骤：S001：N+衬底选取；根据不同产品的耐压需求，选择不同电阻率的N+衬底硅片；S002：P区硼预沉积及扩散；在N+衬底表面沉积硼杂质，通过高温扩散，将N+衬底硅片划分成P区和的集电极区；S003：氧化；在晶片表面生长氧化膜；S004：一次正面N+待扩散区选择性光刻：在P区的上表面预留出待制备发射区的区域，其余用光阻剂保护；S005：氧化膜去除：将待制备发射区上方的氧化膜去除，暴露出正面待扩散的发射区；本发明实现了低反向漏电流、低功耗及高可靠性的稳压管器件功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 集成 低漏流 稳压 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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