[发明专利]一种主动气氛调节的晶体生长方法在审
| 申请号： | 202210589866.5 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN114959868A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 赛青林;齐红基;陈端阳;包森川 | 申请（专利权）人： | 杭州富加镓业科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/06 | 分类号： | C30B9/06;C30B29/16 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 谢松 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种主动气氛调节的晶体生长方法，包括：在坩埚中装入晶体原料，启动真空装置第一次抽真空至预设真空度后关闭真空装置；启动供气组件通入惰性气体后，启动温控装置升温至预设温度；预设温度大于坩埚的最大氧化温度且小于晶体原料的分解温度；通过供气组件通入氧气和惰性气体后，通过温控装置升温至目标温度进行晶体生长。在晶体生长过程中，在升温阶段通过供气组件提供氧气以避免坩埚氧化，在高温生长阶段通过供气组件提供将气氛主动替换为氧气和惰性气体，利用氧气抑制晶体生长过程中的分解反应，且避免通过CO |
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| 搜索关键词： | 一种 主动 气氛 调节 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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