[发明专利]晶体管结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210669320.0 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115763373A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李资良;郑柏贤;施伯铮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了晶体管结构及其形成方法。该晶体管结构包括位于半导体区上方的栅极堆叠件、位于栅极堆叠件一侧的源极/漏极区、位于源极/漏极区的部分上方的接触蚀刻停止层、位于接触蚀刻停止层上方的层间电介质、位于源极/漏极区上方的硅化物区、位于硅化物区上方并且接触硅化物区的源极/漏极接触插塞、以及环绕源极/漏极接触插塞的隔离层。在源极/漏极接触插塞的俯视图中，源极/漏极接触插塞是细长的，隔离层包括位于所述第一源极/漏极接触插塞的端处的端部和位于所述第一源极/漏极接触插塞的相对端之间的中间部分。端部的端部厚度大于中间部分的中间部分厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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