[发明专利]晶体管的恢复方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202210697936.9 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN115083910A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 郭肖林;许杞安;李雄;朱黄霞 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/326 | 分类号： | H01L21/326;H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 朱影 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种晶体管的恢复方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。晶体管的恢复方法包括：在待恢复的晶体管的温度高于预设温度的情况下，向待恢复的晶体管的栅极与底电极之间施加第一电压，其中，工作状态下待恢复的晶体管的栅极与底电极之间施加的电压定义为第二电压，第一电压与第二电压符号相反。使用本公开中的晶体管的恢复方法，能够有效减小或者消除热电子诱导穿透效应产生的影响，降低晶体管的关断漏电流，优化晶体管和半导体器件的关态特性，提升半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 恢复 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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