[发明专利]合并PiN肖特基(MPS)二极管与其制造方法在审
| 申请号： | 202210738672.7 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN116936643A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟梵;蔡国基 | 申请（专利权）人： | 力拓半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黎艳 |
| 地址： | 中国台湾桃园市桃园区艺文一*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种合并PiN肖特基(MPS)二极管，包括基板、第一导电类型的第一外延层、第二导电类型的数个掺杂区、第一导电类型的第二外延层以及肖特基金属层。第一外延层设置于基板的第一表面。掺杂区设置于第一外延层的表面，其中掺杂区由第一部分和第二部分组成，第一部分是电浮动的，且第二部分电连接至顶部金属。第二外延层设置于第一外延层的表面，其中有沟槽形成于第二外延层中，以暴露出掺杂区的第二部分。肖特基金属层共形沉积于第二外延层以及掺杂区中露出的第二部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 合并 pin 肖特基 mps 二极管 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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