[发明专利]半导体装置以及半导体电路在审
申请号: | 202210811220.7 | 申请日: | 2022-07-11 |
公开(公告)号: | CN116825833A | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 岩鍜治阳子;末代知子;下条亮平 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/423 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 房永峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 实施方式提供能够减少开关损失的半导体装置以及半导体电路。实施方式的半导体装置具备:第一沟槽;第一栅极电极,被设于第一沟槽之中;第二沟槽;第二栅极电极,被设于第二沟槽之中;第三沟槽;第三栅极电极,被设于第三沟槽之中;第一电极焊盘,与第一栅极电极电连接;第二电极焊盘,与第二栅极电极电连接;以及第三电极焊盘,与第三栅极电极电连接,其特征在于,与第三沟槽相接且与第三栅极电极对置的导电型半导体区域的厚度比与第一沟槽相接且与第一栅极电极对置的导电型半导体区域的厚度薄,与第三沟槽相接且与第三栅极电极对置的导电型半导体区域的厚度比与第二沟槽相接且与第二栅极电极对置的导电型半导体区域的厚度薄。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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