[发明专利]存储单元及其制备方法、存储器和信息存储方法在审
| 申请号： | 202210822939.0 | 申请日： | 2022-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115206402A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 邢国忠;张昊;赵雪峰;王紫崴;谢常青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C19/08 | 分类号： | G11C19/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种存储单元及其制备方法、存储器和信息存储方法。上述存储单元包括压电衬底层，其两端分别设有第一电极和第二电极，通过对第一电极和第二电极施加电压来实现对斯格明子的无电流驱动；磁性层，位于压电衬底层的表面，与压电衬底层形成异质结，用于生成、稳定和作为斯格明子运动的基本载体；其中，磁性层包括凸状体，该凸状体将磁性层分割为比特区和存储区，比特区内设有用以执行斯格明子的产生与探测功能的磁性隧道结。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 及其 制备 方法 存储器 信息 | ||
【主权项】：
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表示，其中Hk表示总的各向异性，而HSAT表示关于每个存储器元件(102)的自由SAF结构的反铁磁耦合饱和场。N是大于或等于1的整数。关于每个存储器元件的Hk、HSAT和N被选择为，阵列(100)所需用于操作的电流低于预定的电流值。
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