[发明专利]一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法在审
申请号: | 202210846604.2 | 申请日: | 2022-07-19 |
公开(公告)号: | CN115394758A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 张少鹏;曹佳 | 申请(专利权)人: | 北京无线电测量研究所 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;H01L29/40;H01L29/872;H01L21/34 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 李远思 |
地址: | 100854*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法,在一个具体示例中,所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括:第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层,所述氧化镓本征层的上方设置有场板;在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环;所述浮动金属环包括1‑3个等环间距设置的金属环,环间距为1‑7μm,环宽度为0.5‑15μm。所述氧化镓肖特基二极管,通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环,将击穿电压分散,使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化,提高了二极管的抗击穿能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 镓肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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