[发明专利]一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法有效
| 申请号： | 202210864490.4 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115385667B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王凯;谭泽旦;姚远;黄誓成;张倍维;廖政堂;莫斌;农浩;韦林超 | 申请（专利权）人： | 广西晶联光电材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/457;C04B35/622;C04B35/626;C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) 45113 | 代理人： | 韦微 |
| 地址： | 545616 广西壮族自治区柳州市柳*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，以ITO残靶作为原料，通过清洗、研磨、过筛，然后按比例酸解、沉淀、清洗、掺脂、造粒，经成型后在常压下分解、脱脂，在常压或无压的氧气气氛中烧结而成。本发明以残靶作为原料，采用酸浸泡部分溶解后加入碳酸氢铵反应生成碱式碳酸铟，一可以改善粉末特性，使经酸浸泡后未完全溶解的残靶粉末粒径更加均匀并具有球状特性，二可以利用生成的碱式碳酸铟在分解时形成疏松多空的靶材结构，三可以利用碱式碳酸铟分解生成的氧化铟的更佳掺杂性能和晶粒生长性能，制造的靶材相对密度为58%‑62%，具有晶相均匀、疏松多空、性能稳定且不易开裂的特性。本发明具有节约资源、成本低、工艺简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密度 ito 蒸镀靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
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