[发明专利]互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210942510.5 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116487321A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 何彩蓉;施伯铮;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了互连结构及其制造方法。示例性方法包括：在第一层间电介质(ILD)层中形成第一互连开口，该第一互连开口暴露下面的导电特征(例如，源极/漏极、栅极、接触件、过孔或导线)。该方法包括在第一互连开口中形成第一金属接触件之前，对由第一ILD层形成的第一互连开口的侧壁进行氮化。该氮化将第一ILD层的一部分转化为含氮壳。第一金属接触件可以包括金属插塞和金属插塞与第一ILD层的含氮壳之间的电介质间隔件。该方法可以包括在第二ILD层中形成暴露第一金属接触件的第二互连开口以及在第二互连开口中形成第二金属接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
