[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210998702.8 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN116600566A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 崔殷硕 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 叶朝君;张美芹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：基板的单元区域，该单元区域包括第一层叠结构和层叠在第一层叠结构上的第二层叠结构；以及基板的接触区域。第一层叠结构包括在垂直方向上延伸的至少一个下部单元插塞图案和下部狭缝图案。第二层叠结构包括在垂直方向上延伸并且直接接触至少一个下部单元插塞图案的上表面的至少一个上部单元插塞图案和在垂直方向上延伸并且直接接触下部狭缝图案的上表面的上部狭缝图案。上部狭缝图案的与下部狭缝图案的上表面接触的下表面比下部狭缝图案的上表面具有更低的关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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