[发明专利]一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置有效
| 申请号： | 202211065802.1 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115323490B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 吴寅;何军 | 申请（专利权）人： | 无锡鼎桥新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 无锡大鲲知识产权代理事务所(普通合伙) 32671 | 代理人： | 蒋愿真 |
| 地址： | 214116 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，属于石墨热场技术领域，包括生长罐体以及安装在其顶面的可拆卸式顶盖，可拆卸式顶盖的顶面中间位置安装有排风扇外壳，在生长罐体的内腔中设有坩埚体，生长罐体的内腔下部通过隔板分隔有安装腔室，安装腔室内底壁安装有伺服电机，伺服电机的纵向输出轴通过螺杆升降组件连接有升降铝板件，且坩埚体就放置在升降铝板件顶面上。该用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，不仅方便对坩埚体进行拿取，在安装腔室的设计下，可以有效隔热，从而保护伺服电机，提高其连接电路的使用寿命，且可以有效排出热量，从而可以快速对生长罐体中的热量进行及时排出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 碳化硅 晶体 石墨 热场单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
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