[发明专利]一种部分出现氧空位的溴氧化铋的制备方法在审
| 申请号： | 202211116563.8 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115463674A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 单连伟;施梓祺;丁国道;孙莹;董丽敏;吴泽 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/13 | 分类号： | B01J27/13;B01J37/10;B01J37/34;C01B3/04;B01D53/86;B01D53/72;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种含氧空位溴氧化铋的制备方法。本发明制备方法步骤如下：先利用Bi(NO |
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| 搜索关键词： | 一种 部分 出现 空位 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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