[发明专利]一种基于硅掺杂六方氮化硼的半导体器件制备方法在审
申请号: | 202211261871.X | 申请日: | 2022-10-14 |
公开(公告)号: | CN115663064A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 宁静;张子涵;王东;张进成;张弛;马佩军;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/113 |
代理公司: | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人: | 房文亮 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于硅掺杂六方氮化硼的半导体器件制备方法,涉及微电子技术领域,包括如下步骤:(1)清洗衬底,将六方氮化硼转移至待用衬底上;(2)将硅或二氧化硅与衬底上的六方氮化硼进行物理接触;(3)将附有硅或二氧化硅的衬底放入高温退火炉中进行高温退火;得到硅掺杂六方氮化硼;(4)随后在所制备的六方氮化硼层部分表面以及二氧化硅层标面制备电极;针对氮化硼材料用于器件中存在的劣势,如电阻率过高,光吸收率低等,本发明对氮化硼材料进行硅掺杂,形成n型半导体氮化硼材料,该结构设计简单,能够充分发挥氮化硼材料的本征紫外吸收特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 掺杂 氮化 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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