[发明专利]一种石墨舟在审
| 申请号： | 202211274523.6 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115627525A | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 郝斐;折伟林;杨海燕;王丛;邢晓帅;胡易林 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B19/06 | 分类号： | C30B19/06 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨舟，本发明通过在石墨舟的外侧设置多个摆臂，并通过石墨舟的运动来带动摆臂的运动，从而实现对生长溶液的充分搅拌，使得生长溶液的组分均匀性获得提升，最终获得成分均匀的外延薄膜，进而有效解决了现有不能通过石墨舟重复获得较好效果的外延薄膜的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 | ||
【主权项】：
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- 杨青慧;杨雪;张鼎;张元婧;黄建涛;张怀武 - 电子科技大学
- 2021-03-12 - 2021-07-06 - C30B19/06
- 一种用于液相外延法生长石榴石单晶单面厚膜的衬底夹具，包括固定支架、环形连接件、多条铂金柱；固定支架通过连接杆与液相外延设备的提拉杆连接，并同时与环形连接件固定连接；环形连接件下方固定连接多条均匀、竖直分布的铂金柱；每个铂金柱内侧设置截面为半圆形的支撑件，用于放置衬底，每个铂金柱的外侧设置凹槽，用于通过铂丝固定衬底。本发明在铂金柱底部设置高度一致的支撑件，以保证衬底水平放置；铂金柱外侧设置凹槽，通过缠绕铂丝进一步固定衬底。本发明衬底夹具可实现衬底基片绝对水平放置，进而精确控制衬底的位置，实现液相外延衬底单面生长单晶厚膜，单面生长厚膜可有效降低厚膜生长过程中的晶格失配，更加有利于厚膜的生长。
- 水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法-202010994740.7
- 不公告发明人 - 北京智创芯源科技有限公司
- 2020-09-21 - 2021-04-13 - C30B19/06
- 本发明公开了一种水平液相外延石墨舟，包括至少一个刮除装置，拉动滑条至第一预设位置时，刮除装置能够刮除滑条上滞留的母液；以及至少一个吸收装置，拉动滑条至第二预设位置时，吸收装置能够吸收滑条上滞留的母液；并且拉动滑条时，滑条先滑动至衬底槽与母液滞留槽对中的位置，再滑动至第一预设位置，最后滑动至第二预设位置。碲镉汞母液在衬底上生长出碲镉汞薄膜；拉动滑条至第一预设位置，刮除装置将滞留在滑条上的碲镉汞母液刮除；再拉动滑条至第二预设位置，吸收装置将碲镉汞母液吸收；在刮除装置和吸收装置的双重作用下，减少残留的碲镉汞母液，提高碲镉汞薄膜的质量。本发明还公开了一种水平液相外延生长系统、外延方法和生长方法。
- 单层晶格的制备方法-201710630078.5
- 胡立中;许海霞;陈溢杭 - 华南师范大学
- 2017-07-28 - 2020-12-01 - C30B19/06
- 本发明涉及一种单层晶格的制备方法，包括以下步骤：将衬底和目标基底放入一带有排水开关的容器内，所述衬底的上表面倾斜，所述目标基底置于衬底上；将导玻片倾斜摆放，使其下端抵住目标基底；将去离子水、粘合剂溶液和表面活性剂溶液加入容器内，在导玻片和液面之间形成一交界线；将小球悬浮液滴在导玻片和液面的交界线上，小球在液面铺开形成膜结构；取出导玻片，将膜结构调到目标基底之上，待液面稳定后打开排水开关，液面下降使得膜结构落在目标基底上；取出目标基底，置于充满无水乙醇的环境中进行干燥，获得单层晶格。本发明的制备方法具有操作过程简捷、可重复性高、晶格缺陷少的优点。
- 水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法-202010967848.7
- 不公告发明人 - 北京智创芯源科技有限公司
- 2020-09-15 - 2020-11-20 - C30B19/06
- 本发明公开了一种水平液相外延石墨舟。该水平液相外延石墨舟包括至少两个具有母液滞留槽的槽体组，相邻的槽体组之间相互连通；具有至少两个衬底槽的滑条；设置于滑条下方的底托；设置于槽体组上方的盖板，滑条能够在底托与母液槽之间滑动，并且滑条拉动至预设位置时，每个衬底槽均能够与一个母液滞留槽对中。由于该水平液相外延石墨舟具有至少两个槽体组，滑条具有至少两个衬底槽，因此每次至少能够生长两片碲镉汞薄膜，并且相邻的槽体组之间连通，相邻的槽体组之间的汞蒸气能够流通，每片碲镉汞薄膜处于相同的工艺条件，实现了碲镉汞薄膜的批量化生产。本发明还公开了一种水平液相外延生长系统、外延方法和生长方法。
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