[发明专利]存储单元、存储器和电子设备在审
申请号: | 202211275961.4 | 申请日: | 2022-10-18 |
公开(公告)号: | CN116193862A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 戴瑾;朱正勇 | 申请(专利权)人: | 北京超弦存储器研究院 |
主分类号: | H10B43/10 | 分类号: | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/20;H10B43/40;H10B43/50 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 邢少真 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种存储单元、存储器和电子设备,属于半导体技术领域。该存储单元包括沿第一方向排列的第一晶体管和第二晶体管;第一晶体管包括沿第一方向排列的第一栅极、第一半导体层和第二栅极;第二晶体管包括第三栅极以及环绕第三栅极的第二半导体层,第二半导体层包括沟道以及通过沟道连接的第一电极和第二电极,第二电极与第二栅极连接。本申请提供的新型结构的2T0C设计方案,第二晶体管的栅极为垂直结构且与第一晶体管不堆叠,可以方便制作结构紧凑的2T0C存储单元以及存储阵列的3D堆叠。 | ||
搜索关键词: | 存储 单元 存储器 电子设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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