[发明专利]单晶硅制备装置及方法有效

专利信息
申请号: 202211322619.5 申请日: 2022-10-27
公开(公告)号: CN115467014B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 曹建伟;朱亮;高宇;叶钢飞;陈思源 申请(专利权)人: 浙江求是半导体设备有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 代理人: 安佳伟
地址: 311100 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请提供一种单晶硅制备装置,装置包括:晶体生长炉本体;坩埚;升降机构,用于将籽晶垂直升降;导流筒;装置还包括:主加热单元,设在位于坩埚外侧;副加热单元,位于坩埚和导流筒之间,处于熔体液面上方,用于对熔体进行加热;控制单元,用于控制主加热单元和/或副加热单元的功率,以使晶体等径生长;其中,控制单元在控制加热单元的功率时,控制单元优先选择控制副加热单元。本申请还提供一种单晶硅制备方法。本申请通过增设一直接向熔体液面辐射热量的副加热单元,通过调节副加热单元的功率影响熔体液面温度,可以有效延长坩埚的使用寿命。
搜索关键词: 单晶硅 制备 装置 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江求是半导体设备有限公司,未经浙江求是半导体设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211322619.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top