[发明专利]选择性发射极的制备方法和太阳能电池在审
申请号: | 202211335248.4 | 申请日: | 2022-10-28 |
公开(公告)号: | CN116072758A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 张倬涵;周志勇;胡匀匀;李宏伟;季雯娴;徐冠超 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0352 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请提供一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池。该制备方法包括步骤:提供硅衬底;对硅衬底的受光面进行掺杂处理,以形成掺杂层和覆盖掺杂层的掩膜层;对掩膜层进行刻蚀,以形成图案化的掩膜层,图案化的掩膜层覆盖电极区的掺杂层,并暴露出非电极区的掺杂层;以图案化的掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的非电极区的掺杂层,其中,被刻蚀后的非电极区的掺杂层中掺杂剂的浓度大于电极区的掺杂层中掺杂剂的浓度。本申请的选择性发射极的制备方法通过先形成重掺杂的掺杂层,然后通过图案化的掩膜层制备轻掺杂的非电极区的掺杂层和重掺杂的电极区的方法制备选择性电极具有工艺步骤简单成本低的优势。 | ||
搜索关键词: | 选择性 发射极 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的