[发明专利]一种半导体器件及制作方法在审
| 申请号： | 202211357704.5 | 申请日： | 2022-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN116072658A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 关富升;杨帆;罗清威 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 汤明娟 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及制作方法，该半导体器件包括：包括基底、绝缘层、导电材质、金属布线层和电性引出结构，基底包括相背设置的第一表面和第二表面，基底包括有源区域，基底的第一表面一侧形成有金属布线层，基底的有源区域外围形成有从第二表面贯穿至第一表面并暴露金属布线层的贯通孔；绝缘层和导电材质，绝缘层贴附于贯通孔的侧壁形成绝缘腔，导电材质填充于绝缘腔中与金属布线层连接；电性引出结构，位于第一表面一侧、连接金属布线层与有源区域，以将金属布线层上的电荷转移至有源区域。通过上述方式，本申请能够有效解决电荷扩散问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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