[发明专利]一种超细节距全铜互连方法及超细节距全铜互连结构有效
| 申请号： | 202211371335.5 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN115662946B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张昱;何钧宇;张冉远;黄文俊;崔成强;杨冠南 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 刘羽波 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超细节距全铜互连方法及超细节距全铜互连结构，包括以下步骤：S1、制备纳米铜膏，通过加入溶剂、分散剂和粘度调节剂调配至一定浓度；S2、选取一定铜柱直径及数量的芯片和基板，并将基板及芯片清洗干净后进行预处理；S3、键合机吸取带有铜柱I/O输出端口的芯片并进行翻转，使铜柱结构朝外；S4、键合机的吸头吸取芯片将铜柱结构浸入纳米铜膏中蘸取后提起；S5、通入保护气体，铜柱与基板上对应的垫片通过键合机的光学系统对准并施加压力，超声和温度以进行键合；S6、室温下冷却得到超细节距全铜半导体互连结构。本发明具有低温烧结，能实现超细节距互连上的极限，可以实现更细节距的互连，可满足高密度封装的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 细节 距全铜 互连 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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