[发明专利]像素阵列和包括该像素阵列的设备在审
| 申请号： | 202211404503.6 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN116112816A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 金焕雄;金智勋;尹浈斌;李承俊;李泓锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N25/59 | 分类号： | H04N25/59;H04N25/46;H04N25/571;H04N25/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种包括以矩阵形状排列的像素的像素阵列。像素具有相同的结构，并且被前深槽隔离(FDTI)彼此分离。像素当中的第一像素包括第一浮动扩散区、第一组光电转换元件、第一组电荷转移晶体管、第一源极跟随器晶体管以及串联连接在第一浮动扩散区和电压供应线之间的第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管之一形成在第一子像素区域中。第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管中的至少另一个形成在第二子像素区域中。第一子像素区域和第二子像素区域被FDTI彼此分离。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 阵列 包括 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211404503.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 控制像素输出电平的图像处理装置及其操作方法-202211658080.0
- 裴宰永;姜旋律;薛亥植;金秀勇 - 三星电子株式会社
- 2022-12-22 - 2023-07-07 - H04N25/59
- 提供了一种图像传感器及其操作方法。图像传感器包括像素阵列，该像素阵列包括位于第一行中并且包括第一选择晶体管和第一浮置扩散区的第一像素组、位于第二行中并且包括第二选择晶体管和第二浮置扩散区的第二像素组、以及连接到第一像素组和第二像素组二者的列线。当由第一像素组的光电转换元件生成的电荷被传输到第一浮置扩散区时，第一选择晶体管被截止，第二选择晶体管被导通，并且第一电压通过第二选择晶体管被施加到列线。第二像素组的光电转换元件先于第一像素组的光电转换元件生成电荷，以便将电荷传输到第二浮置扩散区。
- 具有双向推扫成像功能的多光谱TDICCD-202310309254.0
- 王廷栋;廖乃镘;周建勇 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 2023-03-27 - 2023-07-04 - H04N25/59
- 本发明涉及一种具有双向推扫成像功能的多光谱TDICCD，属于固体图像传感器领域。该多光谱TDICCD包括两个全色谱段和N个多光谱谱段；N个多光谱谱段水平设置在芯片中间，其中N是由成像系统决定的正整数；每个多光谱谱段的上下两侧对称设置有两个水平移位寄存器；两个全色谱段平行设置在整个多光谱谱段两侧，并在远离多光谱谱段的一侧分别设置一个水平移位寄存器，构成镜像对称。本发明可实现双向光生电荷转移，最终实现双向推扫成像。
- 像素电路、图像传感器及信号采样方法-202111511700.3
- 俞阳刚;侯金剑;陈鹏;任冠京;莫要武 - 思特威（上海）电子科技股份有限公司
- 2021-12-06 - 2023-06-09 - H04N25/59
- 本发明提供一种像素电路、图像传感器及信号采样方法，包括多个像素、控制模块和数字输出模块；每个像素的电路包括光电检测模块、模式切换模块和模拟输出模块；光电检测模块用于形成与入射光对应的电荷信号，并将电荷信号传送至浮动扩散点形成图像信号；模式切换模块用于控制图像信号的量化模式，模拟输出模块用于在像素电路被选择进行读出时产生量化模式下的模拟输出电压；控制模块接收的初始输出电压产生与控制图像信号的量化模式对应的增益控制指令；数字输出模块根据模拟输出电压和斜坡信号产生模拟输出电压的数字量化结果。本发明能够节省一次量化时间，从而提高pixel信号转化的速度。
- 像素阵列和包括该像素阵列的设备-202211404503.6
- 金焕雄;金智勋;尹浈斌;李承俊;李泓锡 - 三星电子株式会社
- 2022-11-10 - 2023-05-12 - H04N25/59
- 提供了一种包括以矩阵形状排列的像素的像素阵列。像素具有相同的结构，并且被前深槽隔离(FDTI)彼此分离。像素当中的第一像素包括第一浮动扩散区、第一组光电转换元件、第一组电荷转移晶体管、第一源极跟随器晶体管以及串联连接在第一浮动扩散区和电压供应线之间的第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管之一形成在第一子像素区域中。第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管中的至少另一个形成在第二子像素区域中。第一子像素区域和第二子像素区域被FDTI彼此分离。
- 像素电路、CMOS图像传感器及控制方法-202111314041.4
- 刘洲宏;侯金剑 - 思特威（上海）电子科技股份有限公司
- 2021-11-08 - 2023-05-12 - H04N25/59
- 本发明提供一像素电路，包括：复位模块、增益控制模块、感光控制模块及读取模块；读取模块包括高增益读取单元及低增益读取单元，均连接至浮动扩散点，高增益读取单元用于读取高增益传输模式下浮动扩散点的电压信号并输出，低增益读取单元用于读取低增益传输模式下浮动扩散点的电压信号并输出；高增益读取单元包括第一电容，低增益读取单元包括第二电容，第一电容用于获取高增益传输模式下的图像信号与复位信号的电压差，第二电容用于获取低增益传输模式下的图像信号与复位信号的电压差。通过本发明提供的像素电路，解决了现有CMOS图像传感器动态范围低的问题。
- 图像传感器-202211338913.5
- 林政昱 - 三星电子株式会社
- 2022-10-28 - 2023-05-05 - H04N25/59
- 在图像传感器中，包括具有多个像素的像素阵列，多个像素中的每一个包括：第一光电二极管；第二光电二极管，其具有比第一光电二极管大的光接收面积；第一浮置扩散节点，其中积累有第一光电二极管中生成的电荷；第二浮置扩散节点，其中积累有第二光电二极管中生成的电荷；第一电容器，其积累从第一光电二极管溢出的电荷；第一驱动晶体管，其被配置为生成与第二浮置扩散节点的电压对应的输出信号；以及第二电容器，其根据用于积累溢出电荷的溢出操作来存储溢出电荷的量，并且根据用于重置第一浮置扩散节点的重置操作来存储重置电荷的量。
- 包括一个或多个电容器的单位像素和包括其的图像传感器-202211319784.5
- 金石山;徐珉雄;宋智娟;郑絃溶;M.L.朱 - 三星电子株式会社
- 2022-10-26 - 2023-05-02 - H04N25/59
- 一种单位像素包括第一光电转换单元和第二光电转换单元、设置在第一光电转换单元和第一节点之间的第一转移晶体管、通过第一开关晶体管连接到第一节点的第一电容器、以及设置在第二光电转换单元和第一节点之间的第二转移晶体管。包括第一电压电平的信号在第一时间间隔期间被施加到第一转移晶体管和第二转移晶体管，包括第二电压电平的信号在第二时间间隔期间被施加到第一转移晶体管、第二转移晶体管和第一开关晶体管，包括第三电压电平的信号在第三时间间隔期间被施加到第一转移晶体管，包括第一电压电平的信号在第四时间间隔期间被施加到第二转移晶体管和第一开关晶体管。
- 像素阵列和图像传感器-202210932840.6
- 徐珉雄;郑弦溶;裵大煕;秋明来 - 三星电子株式会社
- 2022-08-04 - 2023-04-07 - H04N25/59
- 提供的是一种包括多个像素的像素阵列和一种图像传感器。提供的是一种包括多个像素的像素阵列，每一个所述像素包括：光电二极管，所述光电二极管被配置为在包括多个单位帧的帧中生成光电荷；浮置扩散节点，所述浮置扩散节点被配置为接收所述光电荷；第一存储电容器，所述第一存储电容器被配置为通过所述浮置扩散节点接收并存储在所述多个单位帧中的每一个单位帧中的第一单位累积时间段期间由所述光电二极管生成的第一光电荷；和第二存储电容器，所述第二存储电容器被配置为通过所述浮置扩散节点接收并存储在所述多个单位帧中的每一个单位帧中的第二单位累积时间段期间由所述光电二极管生成的第二光电荷。
- 一种提升高动态范围像素转换节点信噪比的像素电路-202211519260.0
- 高静;孙铄;聂凯明;高志远;徐江涛 - 天津大学
- 2022-11-30 - 2023-03-31 - H04N25/59
- 本发明公开了一种提升高动态范围像素转换节点信噪比的像素电路，包括P型衬底，P型衬底设置大光电二极管、一号传输门、一号电荷‑电压转换节点、二号传输门、二号电荷‑电压转换节点、三号传输门、三号电荷‑电压转换节点、四号传输门、小光电二极管，大光电二极管左侧设置四号电荷‑电压转换节点，四号电荷‑电压转换节点和大光电二极管之间连接电荷防溢晶体管，四号电荷‑电压转换节点经二号横向溢流集成电容接地，四号电荷‑电压转换节点和二号电荷‑电压转换节点之间连接溢出电荷的传输栅。本发明在保证高动态范围像素满阱容量不发生明显变化的同时显著提高了SP1L向SP2H信号切换时的信噪比大小，显著优化了该高动态像素的成像质量。
- 像素结构、图像传感器、设备及图像处理方法、控制方法-202111038543.9
- 张盛鑫;徐辰;任冠京;汪小勇;侯佳庆 - 思特威（上海）电子科技股份有限公司
- 2021-09-06 - 2023-03-10 - H04N25/59
- 本发明提出一种像素结构、图像传感器、设备及图像处理方法、控制方法，像素结构包括多个第一像素和多个第二像素，第一像素中采用阵列排布的高灵敏度的第一光电转换元件，第二像素中采用阵列排布的低灵敏度的第二光电转换元件，从而实现图像传感器兼容识别高亮信息和弱光信息的目的，提高动态范围；第一光电转换元件和第二光电转换元件采用独立的输出电路的设计方式，实现电信号的单独输出，互不干扰，提高了识别的可靠性及信号利用的灵活性；基于本发明像素结构的布局设计，还可以有效提高图像传感器的整体性能。
- 脉宽调制像素传感器-202210903893.5
- N·E·伯克;A·K·J·麦克玛霍恩;D·克罗奇亚蒂;E·曼德利;G·A·马诺钦;R·H·穆利斯 - 苹果公司
- 2022-07-29 - 2023-02-17 - H04N25/59
- 本申请涉及脉宽调制像素传感器。本文描述了一种脉宽调制(PWM)图像传感器。该PWM图像传感器可具有堆叠配置。该PWM图像传感器的顶部晶片可具有电荷时间转换器，并且与该顶部晶片堆叠的逻辑晶片可包括时间数字转换器。该PWM图像传感器可利用可变传递函数来避免高光压缩，并且可利用非线性时间量化。作为电荷时间转换器的输入的阈值电压可另外受到控制以影响与该PWM图像传感器相关联的光检测、动态范围和其他特征。
- 脉冲编码方法、图像获取方法、设备及介质-202211110310.X
- 熊瑞勤;黄铁军 - 北京大学
- 2022-09-13 - 2023-01-31 - H04N25/59
- 本申请公开了一种脉冲编码方法、图像获取方法、设备及介质。该脉冲编码方法包括：对入射光进行光电转换得到对应于图像传感器中各像素的电荷；持续累积各像素的电荷形成累积电压；每当累积电压达到预设电压阈值时，清零累积的电荷并产生脉冲信号；持续累积脉冲信号并对累积的脉冲信号的数量进行计数；在脉冲读出时刻，根据当前计数器的累积数量N，从预设的脉冲符号集中选择表示小于或等于N的最大整数M的符号；输出M对应的脉冲编码符号并更新计数器的状态。本申请的脉冲编码方法，能提高对高动态范围的视觉信号的表达能力，提高对场景中高亮区域和偏暗区域同时进行纹理刻画和运动捕捉的能力，并最终提高高动态范围视觉场景的成像效果。
- 具有多增益读出的图像传感器-202210717317.1
- M·H·因诺森特;J·贝克 - 半导体元件工业有限责任公司
- 2022-06-23 - 2023-01-31 - H04N25/59
- 本公开涉及具有多增益读出的图像传感器。本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器可包括图像像素阵列。该图像像素阵列可耦合到控制电路和读出电路。该阵列中的一个或多个图像像素可以各自包括光电二极管和浮动扩散区。该浮动扩散区可以耦合到用于低转换增益配置的电荷存储结构，并且可以耦合到用于中转换增益配置的电荷存储结构。当将光电二极管电荷转移到该浮动扩散区以用于高转换增益配置时，可以激活该中转换增益电荷存储结构。该控制电路可以控制每个像素以执行高转换增益读出操作、中转换增益读出操作和低转换增益读出操作。如果需要，可以省略该中转换增益读出操作。
- 像素和包括该像素的图像传感器-202210704665.5
- 朴奭容;金敬珉 - 三星电子株式会社
- 2022-06-21 - 2023-01-06 - H04N25/59
- 一种单位像素电路，包括：第一光电二极管；不同于第一光电二极管的第二光电二极管；第一浮置扩散节点，其中累积在第一光电二极管中生成的电荷；第二浮置扩散节点，其中累积在第二光电二极管中生成的电荷；电容器，连接到第一浮置扩散节点和第一电压节点，并且累积第一光电二极管的溢出电荷；第一开关晶体管，将第一浮置扩散节点连接到第三浮置扩散节点；复位晶体管，将第三浮置扩散节点连接到第二电压节点；增益控制晶体管，将第二浮置扩散节点连接到第三浮置扩散节点；以及第二开关晶体管，连接到第一电压节点和第二电压节点。
- 专利分类
