[发明专利]用于先进集成电路结构的跳线栅极在审
| 申请号： | 202211407336.0 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN116264249A | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | S·叶门尼西奥卢;L·P·古勒;G·杜威;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H10B10/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈开泰;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请名称为“用于先进集成电路结构的跳线栅极”。描述了用于先进的集成电路结构的跳线栅极。例如，一种集成电路结构包括水平纳米线段的第一竖直堆栈。水平纳米线段的第二竖直堆栈与水平纳米线段的第一竖直堆栈隔开。导电结构沿横向位于水平纳米线段的第一竖直堆栈和水平纳米线段的第二竖直堆栈之间并与所述第一竖直堆栈和所述第二竖直堆栈直接电接触。第一源极或漏极结构在与导电结构相对的一侧上耦合到水平纳米线段的第一竖直堆栈。第二源极或漏极结构在与导电结构相对的一侧上耦合到水平纳米线段的第二竖直堆栈。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 集成电路 结构 跳线 栅极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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