[发明专利]一种双极性双栅调控电解质神经形态器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211563297.3 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN115802768A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 郑朝月;陈希明;宋万科;刘欢;杨亚杰;李世彬 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H10K10/82 | 分类号： | H10K10/82;H10K10/46;H10K71/12;H10K71/16;H10K71/40;H10K71/70 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 唐莉梅 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种双极性双栅调控电解质神经形态器件及其制备方法，该双极性双栅调控神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，有机界面修饰层，有机半导体层，栅极，源极、漏极。有机半导体层包括p型半导体层和n型半导体层，有机半导体层分别分隔为两部分形成于有机界面修饰层的正上方，位于源漏电极下方的半导体层作为沟道层，栅极下方的半导体层作为浮栅层，且p型和n型半导体层各自留有间隙；源极和漏极以桥梁的结构连接，栅极与源、漏极位于同一平面。本发明神经形态器件能实现双极性调控沟道电流，且基于双平面栅结构的调控方式，可以极大丰富器件的功能，因此，这种基于双极性双栅调控的电解质神经形态器件有望在神经形态芯片得到广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 调控 电解质 神经 形态 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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