[发明专利]磁敏感薄膜转移方法和磁敏感器件在审
| 申请号： | 202211595487.3 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN115942860A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 田兵;李鹏;骆柏锋;吕前程;尹旭;张佳明;林跃欢;刘胜荣;王志明;韦杰;谭则杰;陈仁泽 | 申请（专利权）人： | 南方电网数字电网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H10N52/01 | 分类号： | H10N52/01;H10N52/85;H10N52/80 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谢曲曲 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种磁敏感薄膜转移方法、装置、计算机设备、存储介质、计算机程序产品和磁敏感器件。所述方法包括：在第一衬底层上生长氧化物外延磁敏感薄膜层，氧化物外延磁敏感薄膜层依次包括牺牲层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层；将第二衬底层与第二保护层结合；通过准分子激光辐照破坏牺牲层，以使得第二衬底层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层所形成的第一结构与第一衬底层分离。整个磁敏感薄膜转移过程，基于第一衬底层，生长包含牺牲层的氧化物外延磁敏感薄膜层，通过激光辐照破坏牺牲层，使得第二衬底层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层所形成的第一结构与第一衬底层分离，采用本方法能够实现可靠的磁敏感薄膜转移。 | ||
| 搜索关键词： | 敏感 薄膜 转移 方法 器件 | ||
【主权项】：
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