[发明专利]一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构在审
| 申请号： | 202211618703.1 | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN115966556A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 毕晓君;马强 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 邓彦彦;廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构，包括：差分MZM芯片和基板；差分MZM芯片的电极侧朝下，正对基板；基板的上表面铺设有金属，金属的面积超出预设值；基板的上表面通过倒装焊的焊点与差分MZM芯片电极侧的地电极互连，基板上表面金属形成有效的交流信号地结构，使得差分MZM芯片电极与上表面金属之间形成等效的微带线结构；当差分MZM芯片工作时，差分MZM芯片电极侧的正电极产生微带线效应，使得差分MZM芯片的性能得到优化。本发明的基板铺地倒装焊方案综合考虑了倒装焊工艺与芯片之间的寄生，并利用这种寄生，使MZM的电极形成微带线效应，从而达到降低微波损耗、提高阻抗匹配和速度匹配的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 种差 mzm 芯片 倒装 封装 结构 | ||
【主权项】：
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