[发明专利]一种用于产生过滤磁场的介入式稀疏回旋线圈结构有效
| 申请号： | 202211622352.1 | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN115762951B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈德智;吴鸿宇;陈鹏;杨景涵;李冬 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01F5/00 | 分类号： | H01F5/00;H05H1/10 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 彭军芬 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于产生过滤磁场的介入式稀疏回旋线圈结构，属于聚变中性束注入负离子源领域。针对负离子源中传统方法存在的问题：磁场分布范围大，扩散至激励区和引出区，影响等离子体激发和负离子束流引出；磁场位型难以调控，无法获得满意的磁场分布；励磁效率不高，需要很大的激励电流。本发明提出了一种介入式稀疏线圈，其产生的过滤磁场限制在扩展腔内，不会扩散到负离子源的激励区和引出区，不会影响等离子体的激发和引出。线圈结构紧凑，通过改变线圈的匝数、结构，可以获得所希望的磁场位型；通过改变线圈电流的大小，可以方便地调整过滤磁场的幅度；产生过滤磁场区域小，更加高效，无需很大的励磁电流，降低电源成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 产生 过滤 磁场 介入 稀疏 回旋 线圈 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211622352.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
