[发明专利]半导体存储器底层晶体管电路及制备方法在审
申请号: | 202211641027.X | 申请日: | 2022-12-20 |
公开(公告)号: | CN115988883A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 彭泽忠;王苛 | 申请(专利权)人: | 成都皮兆永存科技有限公司 |
主分类号: | H10B43/35 | 分类号: | H10B43/35;H10B43/20;H10B41/35;H10B41/20 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 半导体存储器底层晶体管电路及制备方法,涉及集成电路技术,本发明的电路包括设置于行线层上方的列线层,行线层和列线层之间为绝缘隔离层,行线和列线的方向相互垂直;在行线和列线交叉处设置有贯穿列线层和绝缘隔离层的孔;孔内填充有上下两段半导体材料,位于孔内上段的半导体材料的掺杂类型与行线相同,位于孔内下段的半导体材料的掺杂类型与行线相反,在每个孔的位置都形成一个三极管。本发明制备工艺简单,成本低。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 底层 晶体管 电路 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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