[发明专利]一种薄膜铌酸锂相位调制器在审

专利信息
申请号: 202211730794.8 申请日: 2022-12-30
公开(公告)号: CN116256904A 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 郝婷;陆龙钊;卢金龙;周赤;吉贵军;贾楠;刘昆;黄杭东;胡彦斌;赵希 申请(专利权)人: 珠海光库科技股份有限公司
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G02F1/035
代理公司: 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 代理人: 朱春元
地址: 519085 广东省珠*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种薄膜铌酸锂相位调制器,包括射频调制电极、直流偏置电极以及光波导,直流偏置电极包括第一电极与第二电极;第一电极呈包括一条长边和两条宽边的不封闭矩形,不封闭矩形还包括多组对称第一梳齿电极,每组第一梳齿电极中的两个第一梳齿电极分别与两条宽边连接;第二电极呈轴对称梳齿状,包括多组第二梳齿电极,第二梳齿电极的组数与第一梳齿电极的组数相同;第一电极中的每组第一梳齿电极与第二电极中的每组第二梳齿电极相互交叉排布,第一电极中的任一组第一梳齿电极与第二电极中对应位置的一组第二梳齿电极组成一组梳齿组;光波导的绕线通过位置包括每组梳齿组中的第一梳齿电极与第二梳齿电极之间。
搜索关键词: 一种 薄膜 铌酸锂 相位 调制器
【主权项】:
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