[实用新型]外延片有效
| 申请号： | 202222315399.5 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN218677040U | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 邢琨;杨波;解光侠 | 申请（专利权）人： | 珠海庞纳微半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 邱群 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供外延片。外延片包括衬底、缓冲层、掩膜层、及外延层。缓冲层设有第二通孔。掩膜层具有多个与第二通孔连通的第一通孔。当外延层位于第二通孔内时，外延层的生长方向垂直于衬底与缓冲层的排列方向；当外延层位于第一通孔内时，外延层的生长方向平行于衬底与缓冲层的排列方向；当外延层位于掩膜层背离衬底一侧时，外延层在平行于及垂直于衬底与缓冲层的排列方向同时生长。本申请通过设置具有第一通孔的掩膜层，及在缓冲层设置连通第一通孔的第二通孔，通过使外延层进行横/纵/横外延，降低了外延层的晶体缺陷密度，提高外延层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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