[实用新型]一种湿法刻蚀酸储存装置有效
| 申请号： | 202222957189.6 | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN219203101U | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李科伟;何秋霞;俞超;宋楠 | 申请（专利权）人： | 环晟光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王艳斋 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种湿法刻蚀酸储存装置，所述湿法刻蚀酸储存装置包括储液装置、气体循环装置、液体循环装置以及气源供给装置；所述气体循环装置包括依次连接的进气管路、气体输送装置以及布气管路；所述进气管路设置于储液装置的液面上方，所述布气装置设置于储液装置的底部；所述液体循环装置包括液体输送装置；所述液体输送装置与储液装置的液体出口连接；所述气源供给装置与储液装置连接。本实用新型通过气源供给装置的设置，减少液态酸补加引入不必要水分的缺陷，减少了储液装置的溢流流量，节约了酸的用量。而且，气源供给装置更易搬运与存储，泄漏危害更小，使用更加安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 储存 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
