[实用新型]一种Ga2有效

专利信息
申请号: 202223269316.X 申请日: 2022-12-06
公开(公告)号: CN219286419U 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 李祥东;李秋爽;翟荔丽;张婕;刘通;程智博;杨伟涛;游淑珍;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
主分类号: H01L29/88 分类号: H01L29/88;H01L29/06;H01L29/24
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 辛菲
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种Ga2O3MIS隧穿二极管器件。该Ga2O3MIS隧穿二极管器件包括自下而上依次设置的阴极、β‑Ga2O3衬底层、β‑Ga2O3漂移层、介质层和阳极;其中,介质层位于阳极与β‑Ga2O3漂移层之间;β‑Ga2O3衬底层和β‑Ga2O3漂移层均为Si或Sn掺杂的β‑Ga2O3材料,且β‑Ga2O3漂移层的掺杂浓度低于β‑Ga2O3衬底层的掺杂浓度。该Ga2O3MIS隧穿二极管器件在正向电流几乎保持不变、正向开启电压几乎保持不变的情况下,有效降低了反向漏电。
搜索关键词: 一种 ga base sub
【主权项】:
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  • 2018-12-28 - 2019-07-30 - H01L29/88
  • 本实用新型属于汽车电器领域,涉及网络通信用大功率浪涌保护技术,尤其涉及一种OJ芯片大功率瞬态抑制保护二极管;其瞬态抑制保护二极管包括方形铜座,所述方形铜座的上部设置有芯片层,所述芯片层自上至下依次包括焊片层、方形OJ双面镀镍芯片、焊片层、石墨烯层、焊片层、铜粒层、焊片层以及外接引线;所述芯片层的四周设置有白胶保护层,所述方形铜座的上部设置有设置在芯片层外侧的黑胶保护壳。本实用新型采用这种新工艺使芯片有效面积增加20%,其浪涌功率提高20%,芯片边缘厚度一致减少了破裂的风险,采用真空焊接气孔减少,工艺简单,良品率提高8%以上。
  • 铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法-201610643966.6
  • 张进成;黄金金;于婷;陆芹;郝跃;薛军帅;杨林安;林志宇 - 西安电子科技大学
  • 2016-08-08 - 2019-04-19 - H01L29/88
  • 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括:GaN外延层,n+GaN集电极欧姆接触层,第一GaN隔离层,第一InAlN势垒层,GaN主量子阱层,第二InAlN势垒层,InGaN隔离层,n+InGaN发射极欧姆接触层,圆形电极,位于n+GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极,位于n+GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明的二极管的发射极欧姆接触层采用InGaN材料,增大峰值电流,提高输出功率;二极管的制作方法中,生长InGaN后没有高温工艺,没有In析出,减小器件漏电。
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