[发明专利]复合晶圆及其制造方法在审
| 申请号： | 202280012157.9 | 申请日： | 2022-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN116802808A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 谢林红 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种复合晶圆的制造方法、及利用该制造方法制造的复合晶圆，所述复合晶圆的制造方法具备以下阶段：准备第1衬底，所述第1衬底在一个面配置有氧化物、氮氧化物及氮化物中任一种的第1层；准备第2衬底，所述第2衬底在一个面配置有氧化物、氮氧化物及氮化物中任一种的第2层；在第1层及第2层其中一个的表面形成硅层；将硅层、以及第1层及第2层中另一个的至少一个表面利用等离子体活化；以及将第1衬底与第2衬底贴合。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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