[发明专利]混合型场效应晶体管

摘要

本公开涉及一种场效应晶体管(FET)结构。FET结构具有基板、有源区域、在有源区域的沟道以上设置的介电层和在介电层以上设置的栅极。有源区域包括源极、漏极以及设置在源极和漏极之间的沟道。有源区域由隔离沟道围绕，使得沟道的宽度边缘直接与隔离沟道相邻。电流路径通过沟道在源极和漏极之间流动。FET被配置为使得与穿过沟道中心的主电流路径相比，在沟道边缘附近运行的电流路径被减少或较弱。沟道、介电层或基板中的一个或多个可以被改性或适于提供减少的和主电流路径。在一个示例中，沟道的远离边缘的中心具有第一导电类型的第一掺杂浓度，并且沟道的沿着沟道边缘的侧面具有第一导电类型的第二掺杂浓度，其中第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度。在另一个例子中，介电层在沟道的侧面以上更厚，并且在沟道中心以上更薄。在另一个例子中，基板在沟道侧面下方的区域具有比基板在沟道中心下方的区域更高的掺杂浓度。在一些示例中，FET结构在沟道和/或基板中具有不同厚度的介电层和不同掺杂浓度。